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型號(hào):
BKTEM-B2薄膜材料熱電參數(shù)測試儀

描述:為解決日益緊迫的能源危機(jī),太陽能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開發(fā)利用。新能源的使用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng),具有體積小、重量輕、無任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)

境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率(熱電優(yōu)值),對(duì)其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間

    2024-10-21
  • 訪問量

    541
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BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:薄膜熱電,賽貝克系數(shù),Seebeck,四線法

 


為解決日益緊迫的能源危機(jī),太陽能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開發(fā)利用。新能源的使用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng),具有體積小、重量輕、無任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對(duì)熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率(熱電優(yōu)值),對(duì)其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法:測量 Seebeck 系數(shù)

在待測溫場下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差,通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化,

然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)

? 專門針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。

? 采用動(dòng)態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。

? 采用四線法測量電阻率,測量更加穩(wěn)定可靠。

薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法:測量 Seebeck 系數(shù)

在待測溫場下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差,通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化,

然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線,直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)

專門針對(duì)薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。

采用動(dòng)態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。

?采用四線法測量電阻率,測量更加穩(wěn)定可靠。

1. 實(shí)現(xiàn)功能:在室溫溫場下可同步測量Seebeck系數(shù)和電阻率;

2. 電勢測量:采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬用表;

3. 溫差測量:溫差精度控制:+/-0.1K,控溫速率:0.02–50K/min;溫差控制:0-80K ;

4. Seebeck系數(shù)和電阻測量方法:Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法,電阻率-四端法;

5. Seebeck系數(shù)測量范圍和分辨率:1μV/K-25V/K;測量分辨率:10nV/K;

6. 電阻率測量范圍和分辨率:0.2μOhmm-2.5Ohmm;測量分辨率:10nOhmm;

7. 測量精度:Seebeck 系數(shù) : +/- 7%,電阻率 : +/- 10%;

8. 樣品尺寸:直徑或正方形 6-12mm,長度6-22mm,正反面電極均可;

9. 探頭測試間距:6, 8 mm,任選一種;

10. 外接電源:單相220V ,50Hz;

11. 軟件:圖形化界面, windows 菜單,數(shù)據(jù)采集;加熱恒溫降溫溫度程序化設(shè)計(jì);易于操作的菜單設(shè)計(jì),測量結(jié)果可以txt,EXC


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